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Memblaze CEO唐志波專訪:NVMe時(shí)代下PCIe閃存加速卡的未來(lái)展望

存儲(chǔ)變革浪潮 /b>

目前,存儲(chǔ)行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)空前的巨大變革。其中,存儲(chǔ)媒介從磁盤到閃存的更新?lián)Q代是推動(dòng)這場(chǎng)變革的核心力量。在企業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域,盡管閃存的應(yīng)用尚處于初級(jí)階段,但正是在這樣的環(huán)境中,一家勇于創(chuàng)新的企業(yè)脫穎而出,為存儲(chǔ)行業(yè)注入了新的生機(jī)。

Memblaze CEO唐志波專訪:NVMe時(shí)代下PCIe閃存加速卡的未來(lái)展望插圖

磁盤曾長(zhǎng)期主導(dǎo)存儲(chǔ)領(lǐng)域,然而隨著數(shù)據(jù)量的迅猛增加,磁盤的讀寫速度等性能逐漸無(wú)法滿足需求。閃存憑借其快速讀寫特性,逐漸嶄露頭角,引領(lǐng)了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的變革,這一變革與企業(yè)的發(fā)展緊密相連。

創(chuàng)新企業(yè)開創(chuàng)先河 /b>

Memblaze CEO唐志波專訪:NVMe時(shí)代下PCIe閃存加速卡的未來(lái)展望插圖1

憶恒創(chuàng)源這家企業(yè)引領(lǐng)了國(guó)內(nèi)PCIe閃存加速卡技術(shù)的革新,使得-Based技術(shù)變得家喻戶曉,并顯著促進(jìn)了NVMe時(shí)代的進(jìn)步。當(dāng)眾多企業(yè)還在摸索閃存的應(yīng)用方向時(shí),憶恒創(chuàng)源已經(jīng)率先著手研發(fā)相關(guān)技術(shù)。

2013年,憶恒創(chuàng)源推出了第三代產(chǎn)品III。該產(chǎn)品基于私有協(xié)議,在容量和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著進(jìn)步。利用-Based技術(shù)理念進(jìn)行設(shè)計(jì),它很快贏得了BAT等用戶的喜愛。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的占有率迅速攀升至60%,成為私有協(xié)議閃存加速卡的佼佼者。

閃存技術(shù)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn) /b>

唐志波,憶恒創(chuàng)源的一員,他提到2015年對(duì)閃存技術(shù)而言至關(guān)重要。那一年,NVMe標(biāo)準(zhǔn)迅猛發(fā)展并廣泛傳播,產(chǎn)品的兼容性大幅增強(qiáng),制造成本也得到了有效管控和減少。眾多廠商紛紛察覺到其中的商機(jī),紛紛加入市場(chǎng),使得市場(chǎng)規(guī)模迅速膨脹。

推廣NVMe標(biāo)準(zhǔn)仿佛為存儲(chǔ)行業(yè)注入活力,讓大眾認(rèn)識(shí)到固態(tài)存儲(chǔ)的巨大潛力。隨著越來(lái)越多應(yīng)用支持NVMe,固態(tài)存儲(chǔ)的普及速度加快。憶恒創(chuàng)源把握住這一機(jī)遇,在這股潮流中不斷壯大。

成功經(jīng)驗(yàn)與壁壘 /b>

Memblaze CEO唐志波專訪:NVMe時(shí)代下PCIe閃存加速卡的未來(lái)展望插圖2

憶恒創(chuàng)源之所以能取得如此成就,其經(jīng)驗(yàn)值得我們深入探討。唐志波指出,在PCie閃存卡領(lǐng)域,憶恒創(chuàng)源占據(jù)的領(lǐng)先地位是其成功的關(guān)鍵。在眾多企業(yè)尚未重視PCIe閃存卡之時(shí),憶恒創(chuàng)源便已著手研發(fā),并積累了寶貴的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。

同時(shí),憶恒創(chuàng)源憑借豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),形成了一道競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手難以逾越的防線。他們歷經(jīng)眾多項(xiàng)目,對(duì)用戶需求有了深刻認(rèn)識(shí),能夠迅速對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)整。這些優(yōu)勢(shì)使得公司在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先,即便面臨更激烈的競(jìng)爭(zhēng),也信心十足。

未來(lái)發(fā)展規(guī)劃 /b>

談及未來(lái)的計(jì)劃,唐志波表示,憶恒創(chuàng)源將拓展合作范圍,與更多伙伴攜手,致力于全閃存陣列等系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。隨著NVMe技術(shù)的迅猛發(fā)展,這一趨勢(shì)無(wú)法逆轉(zhuǎn),而基于此的讓-Based技術(shù)因此獲得了更多優(yōu)勢(shì),占據(jù)了市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。

Memblaze CEO唐志波專訪:NVMe時(shí)代下PCIe閃存加速卡的未來(lái)展望插圖3

Host-base技術(shù)僅在極少數(shù)特定場(chǎng)合顯現(xiàn)其效用,憶恒創(chuàng)源會(huì)依照市場(chǎng)定位,對(duì)技術(shù)研發(fā)資源進(jìn)行科學(xué)分配。通過與其他伙伴攜手,我們可以匯聚各自的長(zhǎng)處,合力將存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)推向新的發(fā)展高峰。

市場(chǎng)格局新變化 /b>

2016年下半年,情況出現(xiàn)了新的調(diào)整。華為、聯(lián)想、浪潮等服務(wù)器制造商公開宣布,將以U.2接口替換SAS/SATA接口,成為x86服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)配置。這一舉措標(biāo)志著PCIe閃存加速卡時(shí)代的終結(jié),同時(shí)也預(yù)示著SSD外置盤時(shí)代的到來(lái)。

憶恒創(chuàng)源早有準(zhǔn)備,持續(xù)探索如何利用NAND的特性,發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),克服不足,提升性能。從系統(tǒng)層面來(lái)看,互聯(lián)網(wǎng)用戶更注重產(chǎn)品的性能表現(xiàn)。他們會(huì)通過其他途徑來(lái)增強(qiáng)產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。憶恒創(chuàng)源始終以用戶需求為出發(fā)點(diǎn),因此在新的市場(chǎng)格局中,必定能尋找到適合自己的發(fā)展方向。

大家對(duì)憶恒創(chuàng)源在新環(huán)境中的表現(xiàn)有何看法?它是否還能繼續(xù)維持其領(lǐng)先地位?歡迎點(diǎn)贊、轉(zhuǎn)發(fā)文章,并留下您的看法進(jìn)行交流。

THE END
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